Краткие технические характеристики:

  • Измерение однородности оксидного слоя
  • Определение типа проводимости
  • Профилирование концентрации легирующей примеси по глубине
  • Мониторинг степени ионной имплантации
  • Профилирование степени легирования сверх-узких p-n переходов
  • Вычисление времени жизни носителей заряда
  • Определение величины и знака встроенного заряда в диэлектрик
  • Измерение удельного сопротивления на полупроводниковых пластинах
  • Измерение характеристик МОП-транзисторов

Назначение: ртутный манипулятор (зонд) широко используются в микроэлектронной индустрии для экспрессного контроля профиля легирования полупроводниковых пластин и параметров МДП-структур.

Область применения: контроль как непрозрачных (Si, GaAs, и InP), так и прозрачных материалов (SiC, GaN, сапфир, стекло).

Описание оборудования

Ртутный манипулятор (зонд) широко используются в микроэлектронной индустрии для экспрессного контроля профиля легирования полупроводниковых пластин и параметров МДП-структур. Профилирование с помощью метода ртутного зонда является уникальным способом измерения электрических характеристик материалов и изделий в ходе производства полупроводниковых устройств. Метод основан на анализе зависимости емкости МДП-структур от напряжения на затворе и является незаменимым в случае, когда нежелательным является нанесение металлизации на поверхность для проведения электрических измерений и позволяет значительно экономить время при изготовлении.

Анализ вольт-фарадных характеристик позволяет получить обширную информацию об основных параметрах МДП-структур: типе проводимости полупроводниковой подложки (n- или p-тип); концентрации легирующей примеси в подложке и законе ее распределения в приповерхностной области полупроводника; величине и знаке встроенного в диэлектрик МДП-структуры заряда; толщине подзатворного окисла; плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник — диэлектрик.

Уникальная конструкция ртутного зонда позволяет обеспечивать высочайший уровень безопасности и воспроизводимость контактной площади в случае каждого конкретного измерения. Система представляет из себя замкнутый прибор, гарантирующий защиту от разлива ртути и загрязнения тестируемой пластины.

Замкнутый корпус и система обеспечения безопасности позволяет исключить возможность разлива ртути

Благодаря большому набору измерительных головок возможно проводить измерения с различными размерами и формой контактного пятна. Площадь контакта варьируется в пределах от 3*10-5 см2 до 2,0 см2. Конфигурация может быть как одиночной точкой, так и точкой с концентрической окружностью, а так же линейный массив точек (по аналогии с четырехзондовым методом). Благодаря гибкости системы, она пригодна для проведения измерений на различных материалах, в том числе диэлектрики, полупроводники, структуры типа МДП.

  • Четыре измерительные методики совмещенные в едином приборе
  • Оборудование разработано с учетом промышленных стандартов на инспекцию поверхности в полупроводниковой отрасли и отрасли производства оптоэлектронных материалов
  • Пропускная способность контроля для пластин 2′ – 40 шт/час, для платин 8′ – 20 шт/час.
  • Продвинутые алгоритмы расшифровки результатов – возможность создания собственной библиотеки дефектов
  • Автоматизированный контроль производства светодиодных материалов, позволяющий повысить качество производимых подложек, увеличить выход годных изделий.

Серия CV92. Ртутные зонды широкого спектра применений. В зависимости от комплектации позволяет проводить ручной и полуавтоматический контроль пластин диаметром до 200 мм.
CV3093 Серия 3093 предназначена для измерения с помощью ртутного зонда на пластинах диаметром до 300 мм.
3093 cassette 2 cassette Все системы могут быть так же выполнены в вариантах с кассетной загрузкой/выгрузкой, обеспечивающей высокую производительность контроля.

Пустая вкладка. Отредактируйте страницу, чтобы добавить здесь контент.

Краткие технические характеристики:

  • Измерение однородности оксидного слоя
  • Определение типа проводимости
  • Профилирование концентрации легирующей примеси по глубине
  • Мониторинг степени ионной имплантации
  • Профилирование степени легирования сверх-узких p-n переходов
  • Вычисление времени жизни носителей заряда
  • Определение величины и знака встроенного заряда в диэлектрик
  • Измерение удельного сопротивления на полупроводниковых пластинах
  • Измерение характеристик МОП-транзисторов