Ртутный манипулятор (зонд) широко используются в микроэлектронной индустрии для экспрессного контроля профиля легирования полупроводниковых пластин и параметров МДП-структур. Профилирование с помощью метода ртутного зонда является уникальным способом измерения электрических характеристик материалов и изделий в ходе производства полупроводниковых устройств. Метод основан на анализе зависимости емкости МДП-структур от напряжения на затворе и является незаменимым в случае, когда нежелательным является нанесение металлизации на поверхность для проведения электрических измерений и позволяет значительно экономить время при изготовлении.
Анализ вольт-фарадных характеристик позволяет получить обширную информацию об основных параметрах МДП-структур: типе проводимости полупроводниковой подложки (n- или p-тип); концентрации легирующей примеси в подложке и законе ее распределения в приповерхностной области полупроводника; величине и знаке встроенного в диэлектрик МДП-структуры заряда; толщине подзатворного окисла; плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник — диэлектрик.
Уникальная конструкция ртутного зонда позволяет обеспечивать высочайший уровень безопасности и воспроизводимость контактной площади в случае каждого конкретного измерения. Система представляет из себя замкнутый прибор, гарантирующий защиту от разлива ртути и загрязнения тестируемой пластины.
Замкнутый корпус и система обеспечения безопасности позволяет исключить возможность разлива ртути
Благодаря большому набору измерительных головок возможно проводить измерения с различными размерами и формой контактного пятна. Площадь контакта варьируется в пределах от 3*10-5 см2 до 2,0 см2. Конфигурация может быть как одиночной точкой, так и точкой с концентрической окружностью, а так же линейный массив точек (по аналогии с четырехзондовым методом). Благодаря гибкости системы, она пригодна для проведения измерений на различных материалах, в том числе диэлектрики, полупроводники, структуры типа МДП.