В системе используется запатентованный анализатор оптической чувствительности, непрерывно измеряющий интенсивность рассеянного света, изменение топографии, коэффициента отражения и фазового сдвига волны для автоматического определения и классификации визуальных образов дефектов в соответствии с используемой библиотекой типовых дефектов.

В основе анализатора оптической чувствительности лежит комбинация таких методик, как скаттерометрия, элипсометрия, рефлектометрия и оптическая профилометрия. Использование комбинации этих методик позволяет контролировать поверхность пластин на предмет технологических загрязнений, поверхностных и подповерхностных дефектов, изменений топографии и неоднородности поверхности тонких пленок. Система Candela 8400 характеризуется высокой чувствительностью, пропускной способностью и надежностью контроля, что делает ее оптимальной системой инспекции для нужд сложных технологических процессов.

Назначение: использование оборудования для контроля поверхности позволяет значительно увеличить выход годной продукции и снизить время обнаружения критических дефектов производственного процесса благодаря использованию комплексных оптических методов контроля и фотолюминесцентной технологии.

Область применения: контроль как непрозрачных (Si, GaAs, и InP), так и прозрачных материалов (SiC, GaN, сапфир, стекло).

Отличительные черты:

  • большая чувствительность
  • широкая пропускная способность
  • высокая надежность контроля

Candela CS920 является наиболее продвинутым устройством для определения и классификации дефектов, критических для производства устройств на основе GaAs – от дефектов эпитаксии, таких как кратеры, кольца, до дефектов подложки, таких как плоскости скольжения кристаллов и пятна от полировки. Качество пластин, поставляемых как «epi-ready» может значительно отличаться даже в пределах партии от одного производителя.

Технология OSA обладает исключительной чувствительностью к царапинам и пятнам химической обработки на поверхности подложек из GaAs, которые могут быть пропущены в ходе контроля микроскопом или обследования в светлом поле.

Разнообразные пятна на поверхности подложки являются критическими дефектами для технологического процесса. Их наличие приводит к нарушению адгезии и изменению в морфологии эпитаксиального слоя. Пропуск таких дефектов является причиной браковки целой пластины.

Структуры на основе GaN и SiC (диоды Шоттки и полевые транзисторы) являются одной из самых требовательных задач для инспекции поверхности на настоящий момент. Оптически прозрачные подложки не поддаются обследованию традиционными способами (темного поля), так как загрязнения и царапины на поверхности донной поверхности не могут быть отделены от подобных дефектов на лицевой поверхности. Традиционными методами анализа дефектов в SiC является селективное травление, СЭМ и АСМ анализ. Большинство методов являются непригодными для промышленного производства.

Система Candela SC-920 предназначена для удовлетворения потребностей производителей структур на основе SiC, GaAs. На настоящий момент, более половины подложек из SiC производимых по всему миру обследуются с помощью технологии Candela OSA.