Установка HL9900 предназначена для измерения удельного сопротивления, подвижности и концентрации носителей при комнатной температуре и при температуре жидкого азота в полупроводниковых структурах на основе Si, GaAs, InP, SiC, GaN.
- Слоевое сопротивление: 0,1 мОм до 1 МОм
- Концентрация носителей заряда: 106 до 1021 см-3
- Подвижность: 1 до 107 см2/В∙с
- Диапазон задаваемых токов: 100 нА до 19.9 мА
- Измерение напряжений: –6 В до 6 В
- Температура: 90 К до 500 К
Установка HL9900 сконфигурирована для обработки подложек GaAs и GaN со слоевым сопротивлением от 0,1 мОм до 1 МОм при температуре от 90 К до 500 К. Магнитное поле более 0.5 Тл.
Техническое описание доступно по запросу, а так же на сайте производителя.